Vidéo: Comment calculez-vous la tension intégrée?
2024 Auteur: Miles Stephen | [email protected]. Dernière modifié: 2023-12-15 23:36
Les potentiel intégré (à 300 K) est égal à fje = kT/q ln(1016 x 9 x 1017/nje2) = 0,77 V, en utilisant kT/q = 25,84 mV et nje = 1010 cm-3. Les potentiel intégré (à 100°C) est égal à fje = kT/q ln(1016 x 9 x 1017/nje2) = 0,673 V, en utilisant kT/q = 32,14 mV et nje = 8,55 x 1011 cm-3 (à partir de l'exemple 20).
Par conséquent, quelle est la tension intégrée d'une jonction pn?
Il y a un " construit -dans" TENSION au jonction pn interface qui empêche la pénétration des électrons dans le côté p et des trous dans le côté n. Quand le Tension V est positif (polarité "forward") le terme exponentiel augmente rapidement avec V et le courant est élevé.
De plus, comment mesurez-vous le potentiel de barrière? Un voltmètre ordinaire a une impédance d'entrée finie, ce qui signifie simplement que, pour mesure une tension aux bornes, il doit y avoir un (petit) courant à travers le voltmètre. Ainsi, à mesure le intégré potentiel d'une diode avec un voltmètre exigerait que le potentiel « conduisez » un (petit) courant à travers le voltmètre.
Alors, qu'est-ce qui est intégré dans la tension?
4.3. 1 Le construit -en potentiel. Les construit -en potentiel dans un semi-conducteur est égal au potentiel à travers la région d'appauvrissement en équilibre thermique. Il est également égal à la somme des potentiels de masse de chaque région, puisque le potentiel de masse quantifie la distance entre l'énergie de fermi et l'énergie intrinsèque.
Qu'entend-on par région d'épuisement?
Région d'appauvrissement ou couche d'épuisement est un Région dans une diode à jonction P-N où aucun porteur de charge mobile n'est présent. Couche d'épuisement agit comme une barrière qui s'oppose au flux d'électrons du côté n et des trous du côté p.
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